从SLC到QLC，每个存储单元能存储的数据从1位增加至4位，状态从2种增加至16种，存储空间迅速增加。过去NAND Flash为2D平面结构，相比之下3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大的容量、更低的功耗、更好的耐用性以及更低的成本。目前3D技术正在稳步推进中，未来的发展趋势就是层数的继续堆叠。

  3D NAND闪存技术的进步，让三星Samsung、海力士SK Hynx、西部数据WD、美光Micron、铠侠Kioxia、英特尔Intel等重视存储芯片的半导体厂商从中尝到了甜头，从全球半导体厂商发展的趋势来看，在存储芯片领域发力获得创造新兴事物的能力具备强大产能的半导体厂商，也纷纷获得了较好的营收增长。由此也带来了存储芯片制造领域的军备竞赛，业内俗称盖楼大赛。

  根据全球NAND闪存厂商的技术线路图，三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC将慢慢地发展并成为主流。在2018年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目前产能和产量都处于提升阶段。

  2021年全球NAND闪存芯片销售额达669亿美元，同比增长18.20%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到587亿美元，同比下降12.26%。

  当前全球NAND市场规模主要集中于美国、中国、欧洲和日本地区，四大地区合计市场占有率达79%，其中得益于智能手机的需求，中国地区对NAND闪存的市场销售额占比全球最大，根据Yole的数据，2022年中国地区NAND闪存市场销售额占全球33%。

  NAND Flash市场之间的竞争较DRAM 更激烈。供给端存在三星、铠侠、美光、西部电子、海力士等多家厂商占据较大份额，2021年三星占据34%、铠侠电子市场占有率为19%、WDC占据14%，具体如下：

  3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。

  闪存慢慢的变成了智能手机的一个重要组成部分。NAND闪存的需求呈指数级增长，主要受智能手机平均容量增长的推动。智能手机的NAND闪存可以明显提高浏览网页、邮件加载、游戏甚至Facebook等社交网站的性能。随只能手机的普及，各家公司都在添加额外的功能和应用程序，以将自己的产品与其他制造商区分开来。例如，制造商正在将手势控制、指纹扫描仪和GPS等功能集成到设备中，这提振了对NAND闪存的需求，预计2028年NAND FLASH市场规模将约为1040亿美元。

  更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》。

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